A Samsung Electronics realizou o “Samsung Foundry Forum 2023” na Europa (Munique, Alemanha), sede da indústria automotiva global, no dia 19 (hora local) e revelou seu roteiro de processos de ponta e estratégias de fundição para todas as aplicações, incluindo automotiva.
Neste dia, a Samsung Electronics apresentou uma variedade de soluções personalizadas que vão desde processos 2nano de ponta até processos legados com wafers de 8 polegadas, e os parceiros SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem) compartilharam as últimas tendências em tecnologia de fundição e tendências de desenvolvimento futuro através de exposições em estandes. .
Após o evento IAA no início de Setembro, a Samsung Electronics está a reforçar a sua posição como um parceiro chave na electrónica, expandindo a cooperação com clientes europeus neste fórum.
“Planejamos desenvolver processos otimizados para o mercado de semicondutores automotivos em tempo hábil e produzir semicondutores de inteligência artificial (IA) em massa para cada estágio de direção autônoma, semicondutores de potência e MCU (unidade de controle)”, disse Seung Choi, presidente da Divisão de negócios de fundição da Samsung Electronics. micro) para atender às necessidades dos clientes.” “Lideraremos a era dos veículos elétricos e dos veículos autônomos com as soluções de fundição exclusivas da Samsung Electronics”, disse ele.
5Nano eMRAM desenvolvimentoBCD Expansão do portfólio de soluções eletrônicas, incluindo expansão das operações
A Samsung Electronics concluirá os preparativos para a produção em massa de soluções eletrônicas 2nano avançadas em 2026, expandindo seu portfólio de processos eMRAM (Embedded Magnetic Random Access Memory) de próxima geração e BCD de 8 polegadas.
* Processo BCD: Transistores bipolares (controle de sinal analógico), CMOS (controle de sinal digital) e DMOS (gerenciamento de alta tensão) são implementados em um único chip e são usados principalmente para produzir semicondutores de potência.
Neste fórum, a Samsung Electronics anunciou a sua ambição de liderar a próxima geração de tecnologia de fundição eletrónica, revelando o seu plano para desenvolver eMRAM de 5 nano pela primeira vez na indústria.
eMRAM é um semicondutor de núcleo de memória de última geração para aplicações automotivas que pode operar de forma estável mesmo em altas temperaturas com base em velocidades rápidas de leitura e gravação.
A Samsung Electronics foi a primeira na indústria a produzir em massa um produto com eMRAM baseado no processo FD-SOI de 28 nm em 2019 e está atualmente desenvolvendo eMRAM de 14 nm baseado no processo FinFET alinhado com AEC-Q100. Primeira série com meta de conclusão em 2024. Está em andamento.
* FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator): Uma tecnologia que forma uma camada isolante não condutora (SiO2) em um wafer de silício e constrói um transistor em cima dele, o que pode reduzir significativamente a corrente de fuga que ocorre durante a operação do transistor. .* AEC-Q100 (Conselho Eletrônico Automotivo): A Automotive Parts Association define procedimentos e padrões para avaliação de confiabilidade de componentes eletrônicos automotivos e é um padrão usado mundialmente. A Auto Grade é dividida em níveis de 0 a 3 dependendo dos parâmetros de temperatura.
Além disso, planejamos expandir nosso portfólio de eMRAM para 8nm em 2026 e 5nm em 2027. No caso da eMRAM de 8nm, espera-se que a integração aumente em 30% e a velocidade em 33% em comparação com o modelo anterior de 14nm.
A Samsung Electronics também está aprimorando a linha BCD de 8 polegadas.
A Samsung Electronics expandirá seu processo BCD completo de 130 nm atualmente produzido em massa para 90 nm em 2025, e espera-se que o processo BCD completo de 90 nm reduza a área do chip em cerca de 20% em comparação com 130 nm.
Além disso, planejamos usar a tecnologia DTI (Deep Trench Insulation) para aumentar a alta tensão aplicada em soluções eletrônicas de 70V para 120V, e também forneceremos um Process Design Kit (PDK) que aplica 120V a um processo BCD de 130nm que será desenvolvido e programado para ser fornecido em 2025.
* DTI (Deep Trench Insulation): Uma tecnologia que melhora o desempenho dos semicondutores de potência, reduzindo a lacuna entre os transistores e melhorando a degradação das características do dispositivo devido à corrente de fuga e sobrecorrente.
Estabelecimento de um sofisticado conselho de pacotes de 20 parceiros…2,5 dias·3D Desenvolvimento de pacotes
A Samsung Electronics estabeleceu a Aliança MDI (Multi Die Integration), um órgão consultivo de embalagens avançadas com 20 parceiros, incluindo parceiros SAFE e empresas especializadas em memória, substratos de embalagens e testes.
A Samsung Electronics planeja liderar o painel consultivo de embalagens de última geração e desenvolver soluções diferenciadas de embalagens 2,5D e 3D para cada aplicação, como campo de batalha e computação de alto desempenho (HPC).
Enquanto isso, a Samsung Electronics realizou o “Samsung Foundry Forum 2023” na Alemanha, nos Estados Unidos (junho), na Coreia (julho) e no Japão no dia 17. Para clientes globais que não puderam participar do evento offline, o evento foi realizado no dia 2 de novembro. até o final deste ano Site oficial da Samsung Electronics Semiconductor CorporationPlanejamos revelar detalhes do evento.
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